摘要：
随着技术的进步，与版图有关的器件参数变化，对实际电路的运行与性能影响越来越大。在28nm及以下节点，版图邻近效应（LPE）已经成为一个重要问题。概述了版图邻近效应的研究及应用进展，介绍了不同工艺制程下（Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET）的版图邻近效应二阶效应，包括：阱邻近效应（WPE）、扩散区长度效应（LOD）、栅极间距效应（PSE）、有源区间距效应（ASE）、N/P栅极边界邻近效应 (MBE）、栅极线末端效应（GLE）。在此基础上进一步详细论述上述二阶效应的工艺背景、物理机理以及对器件电学性能的影响，并归纳了目前常见的工艺改进方法。最后，从工艺角度对深纳米工艺尺寸下版图邻近效应的研究趋势做了展望。
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