稀土助剂Gd_2O_3对W/Al_2O_3复合陶瓷烧结性能、力学性能和屏蔽性能的影响

戈榕张衍刘育建方俊栾伟玲 · 2016

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氧化钆

钨

氧化铝陶瓷

γ射线屏蔽

期刊名称：

硅酸盐通报 2016 年 08 期

摘要：

以微米钨粉和α-Al_2O_3粉为基体,Gd_2O_3-Mg O-SiO_2为改性剂,采用常压烧结方式制备了W/Al_2O_3屏蔽复合陶瓷,并研究了Gd_2O_3含量及烧结温度对复合陶瓷烧结性能、微观结构、力学性能和屏蔽性能的影响。结果表明:烧结温度为1550℃,引入1.5wt%的Gd_2O_3可明显提高陶瓷的致密化程度,其力学强度高达276.44 MPa,较未改性陶瓷提高了38%。并且该陶瓷对γ射线有优异的屏蔽性能,半衰减厚度值仅为1.49 cm。