• 冉广照 ，男 ，1968年02月出生 ，任职于北京大学物理学院 ，教授，博士生导师
• 主要研究领域为：分子半导体、纳米半导体、硅光子学

• 2017年，基于表面等离基元超材料的TM偏振Ⅲ-V/Si混合激光器，XMJS201705001，2017年
• 2017年，金属辅助透明导电键合的GaAs量子点硅基混合激光器，XMJS201705001，2017年
• 2017年，全介质蝶形阵列的场增强性质研究，XMJS201705001，2017年
• 2017年，在硅和碳化硅上不加偏置的条件下对其进行等离子体室温掺杂及其物理机制的研究，XMJS201705001，2017年
• 2017年，SOI上FP-Slot波导混合集成阵列光源的研制——4通道混合集成多波长激光器阵列和4波长混合集成光源模块，XMJS201705001，2017年
• 2016年，制备电泵硅基混合激光器的选区金属键合方法，实验技术与管理，2016年10期，页码：54-59
• 2016年，以硅量子点为发光材料的电致发光研究，NJDZ201606002，2016年
• 2016年，1550-nm Evanescent Hybrid InGaAsP-Si Laser with Buried Ridge Stripe Structure，IEEE Photonics Technology Letters，2016年28卷10期，页码：1146-1149
• 2016年，A Hybrid Single-Mode Laser Based on Slotted Silicon Waveguides，IEEE Photonics Technology Letters，2016年28卷9期，页码：967-970
• 2016年，Effect of excess PbBr，Applied Physics Letters，2016年108卷7期