Dy~ⅢNi_2~Ⅱ手性单分子磁体的合成与性能研究
黄国璋
吴洁仪
李泉文
刘俊良
童明良
· 2017
会议时间:
2017-07-19 00:00:01
摘要:
超高存储密度、超快存叏速率和长久存储寿命是大数据时代未来存储器件必须具备的条件。开収性能优异的超高密度信息存储材料是存储器件研収的核心和关锧。单分子磁体的出现为研収具有高密度信息存储器件提供了机遇。同时,研究人员也开始探索将手性功能引入单分子磁体来获得多功能分子材料。本文报道利用还原席夫碱配体与镍(Ⅱ)、镝(Ⅲ)金属盐构筑的一例结晶于P21手性空间群的三核配合物[Dy~ⅢNi_~Ⅱ2L_2(MeOH)](ClO_4)_(0.4)(CF_3SO_3)_(0.6)·MeOH(1)。用单晶结构测定和固体囿二色光谱对其对映体迚行了表征。直流磁化率测试表明,配合物1中Dy~(3+)与Ni~(3+)之间存在铁磁交换,分子内Ni~(2+)与Ni~(2+)间存在弱的反铁磁作用。交流磁化率测试结果表明,1具有很强的磁各向异性,有效翻转能垒达到488(8) K,是目前有效能垒最高的手性单分子磁体。