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单行载流子光探测器结构及其制作方法
姚辰
张戎
曹俊诚
· 2017
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阅读量:267
光探测器
响应度
总带宽
吸收层
渡越
入射光
太赫兹
专利权人:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
通讯地址:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
专利类型:
发明专利
专利号:
CN106784132A
摘要:
本发明提供一种单行载流子光探测器结构及其制作方法,利用分步腐蚀的方法,制作出收集层面积比吸收层面积小的光探测器结构,使得器件电容大大减小,在相同吸收层厚度条件下,提高了器件的RC响应带宽,进而提高了器件的总带宽;在相同收集层面积及相同吸收层厚度的条件下(RC带宽、渡越带宽相同),器件具有更大的吸收层面积,因而具有更大的响应度,可以在更高入射光功率下工作,在高速高功率应用中性能提升更为明显,适用于太赫兹信号产生、高速光通信中的光接收等领域。
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